SiCに関する技術情報

ターマン法


高周波(典型的には1MHz)を用いて測定したC-V特性と、理論曲線との差分から界面準位密度を求める方法である。測定周波数に応答しないが直流掃引信号には追随している界面準位密度を求めることができる。したがって、応答の非常に速い界面準位(測定周波数で決まる)や、応答の非常に遅い界面準位(直流電圧の掃引速度で決まる)は評価できないことに注意が必要である。また、差分を用いるために誤差が大きくなりやすく、低い界面準位密度の素子に対しては精度の高い評価は困難である。

(矢野裕司)