SiCに関する技術情報
電界効果移動度
MOSFET動作の線形領域において、ドレイン電圧を一定としたときのゲート電圧に対するドレイン電流の変化（相互コンダクタンス）から求めたチャネル移動度。電界効果移動度を計算する際にはしきい値電圧は不要であるため、SiC MOSFETではよく用いられる。実効移動度と電界効果移動度の最大値は同じとなる。
（矢野裕司）
- 2017年8月10日
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MOSFET動作の線形領域において、ドレイン電圧を一定としたときのゲート電圧に対するドレイン電流の変化（相互コンダクタンス）から求めたチャネル移動度。電界効果移動度を計算する際にはしきい値電圧は不要であるため、SiC MOSFETではよく用いられる。実効移動度と電界効果移動度の最大値は同じとなる。