SiCに関する技術情報
ACCUFET（Accumulation mode Field Effect Transistor：蓄積モードFET）
MOSFETの構造のひとつ。反転層をチャネルとするのではなく、蓄積層をチャネルとするもの。SiC-MOSFETでは、MOS界面の影響で反転層ではチャネル移動度が低いことが問題であるが、薄いn型のエピタキシャル成長層を蓄積モードでチャネルとすることで、高いチャネル移動度が実現できる。
参考文献
荒井、吉田共著: 「SiC素子の基礎と応用」p.99、オーム社刊
（久田祥久）
- 2017年8月10日
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