PCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining) （あるいはプラズマCVM）は、大気圧プラズマ中で生成された高密度の中性ラジカルと被加工物表面原子との化学反応を用いた高能率無歪加工法である。加工原理そのものは半導体製造プロセス等で用いられる低圧のプラズマエッチングと同じであるが、プラズマ発生圧力を大気圧という高圧力としていることから、(1)中性ラジカル密度が大きく高いエッチング能率を有する、(2)反応ガスの平均自由行程が小さくプラズマを局所的に発生させることが可能であり高い空間分解能を有する、(3)プラズマ中の平均イオンエネルギーが小さく被加工物表面に損傷を与えない、といった特徴を有している。これらの特徴から、研削や研磨といった機械加工に代替する可能性を有すると考えられており、これまでに、SiやSiO2等を対象に無歪切断加工、研磨加工、数値制御加工等への応用が研究されている。SiCに関しては、ウエハ端部の面取り加工や裏面薄化加工等の検討が行われている。

参考文献
表面科学 22 (2001) pp. 160-166.
Materials Science Forum 600-603 (2009) pp. 843-846.
Materials Science Forum 645-648 (2010) pp. 857-860.