SiCに関する技術情報

傾斜エッチング法


酸化膜の深さ方向プロファイルを分析するために開発された実験方法である。二酸化ケイ素膜の付いたSiまたはSiC試料を一定速度で緩衝フッ酸溶液(Buffered HF)へ浸していく。すると、試料の端から順にエッチング時間が連続的に変化するため、酸化膜は傾斜状に加工される。この試料を用いると、測定位置を変えるだけで酸化膜の厚さを自由に変えることが可能であり、酸化膜深さ方向のプロファイリングが容易である。また、酸化界面構造は測定位置に依らず共通であるため、多数の測定点から共通部分を抽出することにより界面層構造の分析も効率良く行える。

(土方泰斗)