筑波大まとめ

会期・場所

2021年8月25日～27日
新潟県長岡市（ニューオータニ長岡とオンラインのハイブリッド開催）

①八尾　惇　他（産総研）：

「SiC-CMOSゲートドライバの高温特性におけるSiCパワーMOSFETのスイッチング特性の一検討」

概要

SiC-CMOSを用い高温動作可能なSiC-MOSFET用ゲートドライバを開発。また、SiC-CMOS ゲートドライバの300℃動作時にて、ターンオフ時で11.7 ns、ターンオン時で7.6 ns の主素子のスイッチングを出来ることを明らかにした。

②只野　博　他（名古屋大学、筑波大学）：

「p-GaN ゲート横型トランジスタの短絡耐量評価」

概要

p-GaN ゲート横型トランジスタ（Panasonic製X-GaN）を用い、短絡耐量等の特性について評価。電流注入型GaN デバイスについては、オン抵抗やスイッチング特性に影響を与えない範囲で小さい定常ゲート電流（本論文では2 mA 程度）で駆動する方が良く、電流駆動ゲートドライブの利点を示すことができた。

以上