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STMicroが第3世代SiCパワーMOSFET、まずは車載向け
2021年12月23日
伊仏合弁STMicroelectronics（STマイクロエレクトロニクス）は、同社の第3世代に当たるSiCパワーMOSFETを開発した。第3世代品の特徴は、前世代品に比べて性能指数（FOM：Figure Of Merit）を改善したことにある。同社によると、「オン抵抗とチップ面積の積で求めるFOMは30％程度、オン抵抗と総ゲート容量の積で求めるFOMは50％程度改善した」という。このため導通損失を減らせると同時に、スイッチング周波数を高めてもスイッチング損失を抑えられ、電源回路の電力密度と変換効率を高められる。第3世代では、＋650V耐圧品と、＋750V耐圧品、＋1200V耐圧品を市場投入する予定。
出典：日経XTECH
- 2022年1月7日
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