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国内外のニュース/情報

日立がSiC半導体の損失を半減、EV向けに大電流の確保

2018年8月31日

日立製作所は2018年8月30日、炭化ケイ素(SiC)を用いた「TED-MOS(Trench-Etched Double Diffused MOSFET)」と呼ぶ素子構造のEV用インバーター向け1.2kV対応パワー半導体を開発したと発表した。

出典:日経XTECH

https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/column/18/00001/00932/