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国内外のニュース/情報

応用物理学会(平成30年3月17日~20日 早稲田大学西早稲田キャンパス)

  1. 2次元ホールガス(2DHG)を用いた縦型ダイヤモンドMOSFETの試作
    早稲田大学ならびに名古屋大学の共著で、2DHGを用いた縦型ダイヤモンドMOSFETの試作結果が報告された。ゲート電圧により電流の変調が確認され、2400A/cm2の電流導通を実現した。
    (報告機関:筑波大学)

  2. Mgイオン注入を用いた縦型GaN MOSFETの試作
    富士電機(株)と山梨大学の共同発表。n-GaNエピ層の一部に深さ500nm、1e18cm-3となるMgをBOXプロファイルでイオン注入し、1200~1400℃で活性化しpwell層を形成。Vthは約9Vでノーマリ―オフ特性を実現した。
    (報告機関:筑波大学)